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国低研究成果以题为HighCurieTemperatureFerromagnetismandHighHoleMobilityinTensileStrainedMn-DopedSiGeThinFilms发布在国际著名期刊Adv.Funct.Mater.上。压电业（b）在不同温度下AM2的M-H曲线。

器行前景（g）Mn浓度对晶格常数的影响。【成果简介】近日，展现状及四川大学的向钢教授（通讯作者）团队、展现状及汪渊教授团队以及兰州大学彭勇教授团队合作，报道了基于第IV族半导体硅锗合金的磁性半导体的研究工作。理论研究预言，发展分析拉伸应变可使得SiGe的重/轻空穴在价带顶部分离，增加其空穴迁移率。

（c）AM1、年中AM2和AM3的居里温度（TC）和饱和磁矩（MS）。退火后的样品铁磁性居里温度高达280K，国低其铁磁性源自Si0.25Ge0.75晶格中的Mn掺杂替代，并因拉伸应变而得到增强。

（b）在不同温度下，压电业AM2的霍尔电阻和MR的磁场强度依赖性。

（c）AM1、器行前景AM2和AM3空穴迁移率的温度依赖性。相关领域共发表学术论文90余篇，展现状及SCI收录70余篇（近5年论文50余篇，其中一区论文17篇。

激光刻蚀还原氧化石墨烯(LSG)具有可以实现任意尺寸氧化石墨烯的生长，发展分析制备周期从几小时缩短到几分钟且不需要特殊的化学试剂和高温度等的优点，发展分析是一种非常有潜力的三维泡沫石墨烯的制备方法。通过基本的材料表征手段结果显示，年中激光还原的石墨烯具有蜂窝网状结构，年中同时CsPbBr3晶体均匀地附着在LSG表面，具有更强的光吸收能力、热性能和长范围的导电网络结构。

国低相关工作得到国家自然科学基金（61675147,61605141,61735010,91838301）国家重点研发项目（2017YFA0700202）和深圳市基础研究项目（JCYJ20170412154447469）等项目的资助。这项工作表明，压电业LSG/CsPbBr3器件是室温下构建高性能、压电业柔性、自驱动超宽带探测器有潜力的候选材料，为未来自驱动柔性的超宽带、高灵敏度新型光电探测器研究提供理论基础和技术支撑。